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DHHM-S半導(dǎo)體絕緣子灰密度測(cè)試儀

DHHM-S半導(dǎo)體絕緣子灰密度測(cè)試儀

型 號(hào):
報(bào) 價(jià): 20000

DHHM-S半導(dǎo)體絕緣子灰密度測(cè)試儀又稱絕緣子灰密測(cè)試儀專為測(cè)量絕緣子灰密度值而設(shè)計(jì),包含快速過濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測(cè)量附件等部分,快速過濾裝置精心設(shè)計(jì)指針式人機(jī)交互界面,美觀簡(jiǎn)潔;

更新時(shí)間:2024-08-15

詳細(xì)資料:

產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)

DHHM-S半導(dǎo)體絕緣子灰密度測(cè)試儀

絕緣子灰密測(cè)量裝置適用于高線架空線路、發(fā)電廠、變電所等場(chǎng)所外絕緣設(shè)備污垢測(cè)試,絕緣子灰密測(cè)量裝置又稱絕緣子灰密測(cè)試儀專為測(cè)量絕緣子灰密度值而設(shè)計(jì),包含快速過濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測(cè)量附件等部分,快速過濾裝置精心設(shè)計(jì)指針式人機(jī)交互界面,美觀簡(jiǎn)潔;絕緣子灰密度測(cè)試儀配套的灰密測(cè)量分析軟件;絕緣子灰密測(cè)試儀采用多抽頭,操作便捷。

絕緣子灰密測(cè)量裝置標(biāo)準(zhǔn)及技術(shù)規(guī)范:GB/T5582-1993

DHHM-H絕緣子灰密測(cè)量裝置又稱絕緣子灰密測(cè)量裝置,絕緣子灰密測(cè)量裝置專為測(cè)量絕緣子灰密度值而設(shè)計(jì),絕緣子灰密測(cè)量裝置的主要功能是測(cè)量絕緣子灰密度的值,用戶據(jù)此判斷絕緣子的污穢程度。用戶需要根據(jù)實(shí)際情況設(shè)定絕緣子表面積、溶液體積等參數(shù)。絕緣子灰密測(cè)量裝置遵照多種標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定和要求,絕緣子灰密測(cè)量裝置適用于高線架空線路、發(fā)電廠、變電所等場(chǎng)所外絕緣設(shè)備的灰密度測(cè)試。絕緣子灰密測(cè)量裝置包含快速過濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測(cè)量附件等部分:

1、快速過濾裝置:精心設(shè)計(jì)指針式人機(jī)交互界面,美觀簡(jiǎn)潔;配套絕緣子灰密測(cè)量裝置軟件;采用多抽頭,操作便捷。

2、精密電子電平:具有數(shù)字化多點(diǎn)線性修正和多點(diǎn)漂移修正功能。具有多種測(cè)量模式供選擇;能開機(jī)自檢、外部校準(zhǔn)、自動(dòng)屏保;采用全透明密封罩制作,外形美觀,使用方便。

3、恒溫干燥箱:具有溫度自整定、智能控制功能。可保持箱內(nèi)恒溫;工作室采用"冷熱空氣對(duì)流"技術(shù),保證箱內(nèi)空氣自動(dòng)變換;具有大玻璃示窗、數(shù)碼管顯示,便于觀察和操作;多層擱版,可一次性干燥多個(gè)試品。

DHHM-S半導(dǎo)體絕緣子灰密度測(cè)試儀標(biāo)準(zhǔn)

1、Q/GDW152—2006《高壓架空線路和變電站環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
2、GB/T16434—200*《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分:定義、信息和一般原則》
3、GB/T4585-2004/IEC60507:1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢實(shí)驗(yàn)》
4、GB/T5582-93《高壓電力設(shè)備外絕緣污穢等級(jí)》
5、IEC60815-2004

參數(shù)

型號(hào):DHHM-H
名稱:絕緣子灰密測(cè)量裝置
絕緣子灰密測(cè)量裝置參數(shù)快速過濾裝置精密電子天平恒溫干燥箱
電源AC220V ±10% 50HzAC220V ±10% 50HzAC220V ±10% 50Hz
功率180W≤ 15W≤ 600W
測(cè)量范圍泵排量:90L/min;   單嘴抽氣率:10L/min稱量范圍:0~200g控溫范圍:5℃~250℃
精度/0.1mg1℃
環(huán)境溫度0~50℃0~50℃0~50℃
體積400mm×285mm×420mm350mm×215mm×340mm520mm×320mm×430mm
重量約5Kg約6.8Kg約20Kg

術(shù)語解釋

灰密度(NSDD): 絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物除以表面積,一般表示為mg/ 。
附鹽密度(SDD):人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)上的氯化鈉總量除以表面積,一般表示為mg/ 。
等值附鹽密度(ESDD):絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,一般表示為mg/ 。
爬電距離:在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間,沿絕緣體表面的zui短距離。
統(tǒng)一爬電距離(USCD):絕緣子的爬電距離L除以試驗(yàn)電壓與 的積,一般表示為mm/kV。
污穢層: 由鹽和惰性材料組成的絕緣子表面上的導(dǎo)電電解層。
現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí):將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS(ESDD/NSDD的zui大值)的分級(jí)。


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